三星2nm工藝細節公布：能效提升8% 良品率不足60%
時間:2025-11-21 10:46:39 出處:綜合閱讀（143）
11月18日消息，星n效提據媒體報道，藝細三星電子首次公布2nm工藝量產進展及技術指標：相較3nm制程，布能不足新工藝實現性能提升5%、升良能效優化8%、品率芯片面積縮減5%。星n效提
盡管提升幅度低于業界預測，藝細但標志著GAA（全環繞柵極）晶體管架構在更先進節點的布能不足持續演進。
據悉，升良三星首款采用2nm工藝的品率SoC為自研Exynos 2600，傳聞當前良品率介于50%-60%。星n效提該芯片的藝細量產效能將直接驗證三星代工技術實力，尤其在高難度10nm以下制程中，布能不足良品率突破已成為爭奪客戶的升良核心競爭力。
目前，品率全球晶圓代工市場主要由臺積電占據，市場份額70.2%額穩居第一。雖然三星排在第二，但是市場占有率僅為7.3%，相差了接近十倍。
三星已經為晶圓代工業務設定新目標，希望通過提高2nm工藝的良品率以及與利潤豐厚的客戶建立長期業務關系，在兩年內實現盈利，并占據20%的市場份額。
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