12月24日消息，技術(shù)晶片東南網(wǎng)報(bào)道，突破天成廈門火炬高新區(qū)企業(yè)瀚天天成近日成功研發(fā)出全球首款12英寸高質(zhì)量碳化硅外延晶片。瀚天化硅

這一突破不僅將顯著提升下游功率器件的發(fā)布生產(chǎn)效率，更可大幅降低碳化硅芯片的全球單位制造成本，為產(chǎn)業(yè)規(guī)模化、首款低成本應(yīng)用奠定關(guān)鍵基礎(chǔ)。英寸

第三代半導(dǎo)體碳化硅相比傳統(tǒng)硅材料，高質(zhì)具備更優(yōu)異的量碳高頻、高壓、外延高溫性能，技術(shù)晶片有助于實(shí)現(xiàn)系統(tǒng)更低能耗、突破天成更小體積與更輕重量的瀚天化硅目標(biāo)，目前已被廣泛應(yīng)用于新能源汽車、發(fā)布光伏發(fā)電、全球AI電源、軌道交通、智能電網(wǎng)及航空航天等領(lǐng)域。

相較于目前主流的6英寸碳化硅外延晶片及仍處于產(chǎn)業(yè)化推進(jìn)階段的8英寸晶片，12英寸晶片憑借其直徑的大幅增加，在相同生產(chǎn)流程下單片可承載的芯片數(shù)量顯著提升——分別為6英寸晶片的4.4倍和8英寸晶片的2.3倍。

目前，瀚天天成已啟動(dòng)12英寸碳化硅外延晶片的批量供應(yīng)準(zhǔn)備工作。該產(chǎn)品關(guān)鍵性能指標(biāo)表現(xiàn)突出：外延層厚度不均勻性控制在3%以內(nèi)，摻雜濃度不均勻性≤8%，2mm x 2mm芯片良率超過96%，能夠充分滿足下游功率器件對(duì)高可靠性的應(yīng)用需求。

據(jù)悉，瀚天天成是中國首家實(shí)現(xiàn)3英寸、4英寸和6英寸碳化硅外延晶片商業(yè)化批量供應(yīng)的企業(yè)。

根據(jù)灼識(shí)咨詢研究報(bào)告，公司已于2023年成為全球規(guī)模最大的碳化硅外延晶片供應(yīng)商，2024年全球市場(chǎng)份額超過31%。